贴片电容的主要分类有哪些

guozhiwei · 发表于 2022-4-20 12:36:39

　　贴片电容在生产中的运用是相对较大的，贴片电容主要可以分为四种类型，不同的种类主要是由于电容里面的填充介质有所不同，下面电子之家给大家讲讲贴片电容的主要分类有哪些。电子元器件的其他知识和内容也可以到网站具体了解一下，我们是领域内专业的企业平台，欢迎您的关注和了解！

　　贴片电容

　　贴片电容的主要分类有哪些

　　一 NPO电容器

　　二 X7R电容器

　　三 Z5U电容器

　　四 Y5V电容器

　　区别:NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

　　NPO电容器

　　NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

　　NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

　　封装 DC=50V DC=100V

　　0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

　　1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

　　1210 560---5600pF 560---2700pF

　　2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

　　NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

　　X7R电容器

　　X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

　　X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

　　X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

　　封装 DC=50V DC=100V

　　0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF

　　1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF

　　1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF

　　2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

　　Z5U电容器

　　Z5U电容器称为"通用"陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。

　　尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

　　封装 DC=25V DC=50V

　　0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

　　1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

　　1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

　　2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

　　Z5U电容器的其他技术指标如下:

　　工作温度范围10℃ --- 85℃

　　温度特性 22% ---- -56%

　　介质损耗最大 4%

　　Y5V电容器

　　Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。

　　Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。

　　Y5V电容器的取值范围如下表所示

　　封装 DC=25V DC=50V

　　0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF

　　1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF

　　1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF

　　2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF

　　Y5V电容器的其他技术指标如下:

　　工作温度范围 -30℃ --- 85℃

　　温度特性 22% ---- -82%

　　介质损耗最大 5%

　　贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。

　　贴片电容

　　以上文章是电子之家为大家介绍的有关贴片电容的主要分类有哪些的相关内容，相信大家看了以后对贴片电容的分类有了更多了解。

　　英特尔(Intel)以数据为中心业务群中，有一个营收持续成长且有创造利润的物联网事业群(IoTG)，至2018年第3季营收已达9.19亿美元，2018年前3季总营收达26.4亿美元、年增15.2%，营业利润也翻倍成长，面对近期英特尔高层坦承其处理器生产供不应求情况，IoTG总经理TomLantzsch就此事向客户表达抱歉，指出这不是需求端导致的问题，而是供给端导致，但IoTG旗下没有任何业务受这波供给短缺影响，而IoTG也正加强产品差异化布局，正在开发4款客制化芯片，差异化策略正是IoTG在走的路。

　　根据TheMotleyFool报导，英特尔代理CEO兼财务长BobSwan在第3季财报会议上表示，英特尔将无法满足需求端对该公司处理器供货的需求，在英特尔中央处理器(CPU)产品线中，公司正优先生产Xeon及Core处理器，让英特尔和客户能为高效能市场提供服务，基于供应短缺的结果是，预期IoTG营收下一季将下滑约15%。

　　对此Lantzsch在瑞银全球技术峰会指出，过去1个月他才刚到大陆和台湾与所有客户进行会谈，再次对至今英特尔供给短缺为客户带来的困扰感到抱歉，但尽管如此，IoTG旗下没有任何业务受这波短缺所影响。

　　Lantzsch进一步表示，多数人不了解IoTG产品的平均销售价格(ASP)是高于100美元的，IoTG旗下营收第二大业务是英特尔的高效能数据中心Xeon处理器，而且在2017年，以Xeon处理器为基础的解决方案单位销售成长最快。

　　Lantzsch指出，过去IoTG仅采用既有技术并应用至垂直集成，但这将有所改变，目前IoTG正以各种形式在开发4款客制化芯片。IoTG总是尝试采用英特尔其它部门的主要运算技术。

　　Lantzsch并提到，英特尔许多产品含有两颗芯片，其一包含主要运算要素，如CPU核心、绘图处理单元等，另一则是平台路径控制器(PCH)，一般来说，英特尔Core和Xeon产品均采处理器与PCH晶粒的双芯片配置，如今的Atom产品则是将这所有功能集成至单硅芯片中。在此情况下，即使所搭载的主要CPU核心就是英特尔一般PCCPU核心，但英特尔能够通过在PCH芯片上的定制化设计，为合作伙伴或客户创造产品的差异化。

　　Lantzsch也提到英特尔如何透过2016年5月收购Movidius公司取得的技术，在加速技术方面进行客制化的工作。因此，可说IoTG正朝生产更多在经济上可行的差异化产品方向发展，同时利用英特尔本身既有的核心资产。